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体积、低功耗前提下,获得更大内存容量和更快数据吞吐速度。 三星为此规划了清晰的路线图——2026年完成10a DRAM开发,2027年开展品质测试,2028年转入量产。 SK海力士计划在10b节点引入4F²+VCT,美光则维持现有设计路线,中国厂商因EUV受限直接布局3
0年“股票+商品”组合值得关注。
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发布时间:11:31:23